電子氣體是特種氣體(指應用于特殊領域，對氣體有特殊要求的純氣)的一個重要分支，半導體工業用的氣體統稱電子氣體。
一、電子氣體的分類
電子氣體按純度可分為：純電子氣體、高純電子氣體和半導體特殊材料氣體；
按規模等級和適用場合分為：電子級、LSI(大規模集成電路)級、VLSI(超大規模集成電路)級、ULSI(特大規模集成電路)級。
二、常用電子氣體
外延生長用電子氣體：
外延生長是一種單晶材料淀積并生產在襯底表面上的過程，在半導體工業中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫做延外氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感器的非晶硅膜積淀等。
蝕刻用電子氣體：
蝕刻就是講基片上無光刻膠掩蔽的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜)蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，以便在基片表面上獲得所有的成像圖形。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體(鹵化物類)，例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。產檢蝕刻氣體
摻雜用電子氣體：
在半導體器件和集成電路制造中，將某些雜質摻入半導體材料內，是材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體成為摻雜氣。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣)在源柜中混合，混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進而與硅反應生成摻雜金屬而徒動進入硅。
化學氣相淀積用電子氣體：
化學氣相淀積混合氣體(CVD)是利用揮發性化合物，通過氣相化學反應淀積某種單質或化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類，使用的化學氣相淀積(CVD)氣體也不相同。
離子注入用電子氣體：
在半導體器件和集成電路制造中，離子注入工藝所用的氣體統稱為離子注入氣，它是把離子化的雜質(如硼、磷、砷等離子)加速到高能級狀態，然后注入到預定的襯底上。離子注入技術在控制閥值電壓方面應用得最為廣泛。注入的雜質量可以通過測量離子束電流而求得。離子注入氣體通常指磷系、砷系和硼系氣體。
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